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产品标签  | SKM100GB123D igbt厂家 西门康IGBT

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西门康IGBTIGBT模块SKM100GB123D全新***igbt厂家

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    • 地   址：
      上海 上海 徐汇区 沪闵路9818号
    详细信息
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    产品特性：IGBT品牌：西门康型号：SKM100GB123D
    封装：标准封装批号：00IGBT类型：绝缘栅双极型晶体管
    配置类型：3集射极击穿电压(VCEO)：1200最大集电极电流(Icm)：100
    集电极截止电流：100最大耗散功率：63mW工作温度范围：14
    安装类型：螺丝应用领域：电工电气

    ***现货西门康IGBT模块SKM100GB123D全新***详细介绍

    产品介绍
    产品描述

    • 生产厂家：西门康

    • 产品优势：现货***，质保一年

    • 常用材质：陶瓷

    • 产品规格：12

    • 产品型号：SKM100GB123D

    产品实拍
    产品介绍：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点
    产品组成：是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上;
    产品特色

    • IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最***功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。


    企业介绍
    企业简介：

     

    我司主营产品如下：

    1、富士、英飞凌、三菱、西门康全系列IGBT产品；

    2、CDE、EACO、日立全系列电容产品；

    3、富士、三菱、英飞凌、西门康、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、单管、整流桥产品；

    4、建准全系列风机；

    5、CONCEPT及驱动板；

    6、富士通单片机及其它配套产品；

    菲兹电子愿为广大客户提供优良的产品、满意的服务。

    品质保障、价格优惠、诚实守信是我们的经营准则，

    科技创新、互惠互利、共同发展是我们的共同目标。


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