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产品标签  | SKM150GB12V igbt厂家 西门康

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    • 地   址：
      上海 上海 徐汇区 沪闵路9818号
    详细信息
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    产品特性：igbt品牌： igbt型号：SKM150GB12V
    封装：标准封装批号：00IGBT类型：igbt
    配置类型：51集射极击穿电压(VCEO)：1200最大集电极电流(Icm)：150
    集电极截止电流：150最大耗散功率：150mW工作温度范围：41
    安装类型：线应用领域：电工电气

    ***热卖SKM150GB12V全新现货西门康IGBT模块详细介绍

    产品介绍
    产品描述

    • 生产厂家：西门康

    • 产品优势：***现货

    • 常用材质：硅

    • 产品规格：12

    • 产品型号：SKM150GB12V

    产品实拍
    产品作用：将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。
    产品优点:热稳定性好、安全工作区大。产品缺点：击穿电压低，工作电流小。
    产品特色



    • IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

    • 若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极-发射极间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。

    企业介绍
    企业简介：

     

    我司主营产品如下：

    1、富士、英飞凌、三菱、西门康全系列IGBT产品；

    2、CDE、EACO、日立全系列电容产品；

    3、富士、三菱、英飞凌、西门康、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、单管、整流桥产品；

    4、建准全系列风机；

    5、CONCEPT及驱动板；

    6、富士通单片机及其它配套产品；

    菲兹电子愿为广大客户提供优良的产品、满意的服务。

    品质保障、价格优惠、诚实守信是我们的经营准则，

    科技创新、互惠互利、共同发展是我们的共同目标。


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